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在當(dāng)前的位錯(cuò)認(rèn)知里面。
位錯(cuò)密度和晶體強(qiáng)度的關(guān)系是一條U形曲線。
一方面,實(shí)際晶體中位錯(cuò)密度越低,晶體的強(qiáng)度越高;另一方面,從冷加工金屬的強(qiáng)度比退火金屬高得多的這一事實(shí)又可推知,位錯(cuò)密度越高,晶體的強(qiáng)度越高。
所以一般而言,位錯(cuò)的研究方向都是從這兩方面入手的。
但慕景池有關(guān)于位錯(cuò)的研究并不是從這兩份面著手的,他的方向不在于晶體中位錯(cuò)密....